BD809,810 دیتاشیت

BD809,810

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BD809,810
حجم فایل 91.344 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت BD809,810

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

BD810G 5 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi BD810G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 10A
  • Power Dissipation (Pd): 90W
  • Transition Frequency (fT): 1.5MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 15@4A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1mA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.1V@3A,300mA
  • Package: TO-220

محصولات مشابه